IGBT半桥模块
基本信息
| 申请号 | CN201920161495.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209374447U | 公开（公告）日 | 2019-09-10 |
| 申请公布号 | CN209374447U | 申请公布日 | 2019-09-10 |
| 分类号 | H01L25/18（2006.01）I; H01L23/498（2006.01）I; H01L23/492（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钱进; 轩永辉 | 申请（专利权）人 | 杭州达新科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 宁波达新半导体有限公司; 杭州达新科技有限公司 |
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT半桥模块，包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端子、信号端子和信号端子座；芯片单元包括IGBT芯片和FRD芯片；信号端子包括栅极信号端子和发射极信号端子，信号端子都直接焊接在陶瓷覆铜板上，IGBT芯片的栅极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出到对应的栅极信号端子上，IGBT芯片的发射极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出到对应的发射极信号端子上；陶瓷覆铜板直接焊接在所述底板上；信号端子支撑在对应的信号端子座上。本实用新型能实现在制造或使用过程中提高产品的生产效率和产品质量。 |
