含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法

基本信息

申请号 CN202010696593.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111816855A 公开(公告)日 2020-10-23
申请公布号 CN111816855A 申请公布日 2020-10-23
分类号 H01M4/36(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 易旭 申请(专利权)人 长沙晟天新材料有限公司
代理机构 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 代理人 宁星耀;姜芳蕊
地址 413000 湖南省益阳市高新开发区东部产业园孵化楼25层2503号
法律状态 -

摘要

摘要 含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法:将一氧化硅颗粒和硅颗粒加入到无水乙醇中混合,超声分散;加入树脂,加热使树脂溶解,搅拌研磨,喷雾干燥;热处理,使树脂先发泡再碳化;在表面放置镁片,真空条件下热处理;放入化学气相沉积炉中,进行表面碳沉积,即成。本发明所得含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料具有独特的双层包覆结构,小粒径一氧化硅和硅化镁均匀分散在碳材料中,用于制作锂离子电池负极,锂化速率提高3~4.5倍;本发明制备方法,操作简单,成本低,易于工业化生产;所得电池负极材料能大幅度提高锂离子电池的首次库伦效率,延长其使用寿命。