一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201310599290.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104658828A | 公开（公告）日 | 2015-05-27 |
| 申请公布号 | CN104658828A | 申请公布日 | 2015-05-27 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 鞠洪建 | 申请（专利权）人 | 大连惟康科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116014 辽宁省大连市西岗区北京街72号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极及其制作方法，属于真空微电子领域，包括一块导电基板，基板上沉积有绝缘层，绝缘层上具有一层金属导电层，层面上，穿过绝缘层形成阵列圆孔型控制栅，在圆孔中心基板面上催化剂所处的位置点上生长出直立的碳纳米管/碳纤维，一直到达金属导电层上控制栅中心高度；其制作方法，按六个流程步骤顺序进行，该方法能生长出高宽比大、细高形状的碳纳米管，所构成的场发射阴极发射稳定，由于碳纳米管的化学稳定性比金属好，受工作环境影响小，同时域值电压低，而且碳纳米管的制造工艺和设备都比较简单，故生产成本可大幅度下降。 |
