高功率光电倍增装置
基本信息
| 申请号 | CN201410229393.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104051217A | 公开（公告）日 | 2014-09-17 |
| 申请公布号 | CN104051217A | 申请公布日 | 2014-09-17 |
| 分类号 | H01J43/04(2006.01)I;H01J43/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 储冬红;郭楚媛;郭睦庚;严方园;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人 | 成都中远千叶科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 610100 四川省成都市龙泉驿区龙泉镇龙都南路422号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 高功率光电倍增装置，其特征在于，主要包括：入射光源，光阴极，一次电子发射极，二次电子发射极，三次电子发射极，四次电子发射极，光电流输出装置，接地保护装置，电流一次衰减装置，电流二次衰减装置，电流三次衰减装置，电流四次衰减装置，其中，一次电子发射极采用锑化铯镍合金电极材料，二次电子发射极采用氧化镧合金电极材料，三次电子发射极和四次电子发射极采用氧化钴铜铍合金电极材料，光电流输出装置含有厚度为2.98um的光束滤光膜，该滤光膜材料为十六偏铬酸碘铕纳米复合滤光膜。 |
