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一种高功率半导体光放大器

基本信息

申请号 CN202023262384.4 申请日 -
公开（公告）号 CN213520691U 公开（公告）日 2021-06-22
申请公布号 CN213520691U 申请公布日 2021-06-22
分类号 H01S5/02251（2021.01）I;H01S5/02253（2021.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/34（2006.01）I;H01S5/50（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杨明来 申请（专利权）人 浙江长芯光电科技有限公司
代理机构 杭州润涞知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 黎慧华
地址 310000浙江省杭州市江干区新塘路672号中豪国际商业中心3幢506-4室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种高功率半导体光放大器，其特征在于，从上至下依次包括放大区电极、电极接触层、上限制层、上波导层、有源层、下波导层、下限制层、衬底层和N面电极区，所述放大区电极由锥形放大区P面电极、脊形单模放大区P面电极组成，所述锥形放大区P面电极与脊形单模放大区P面电极之间相互电绝缘。本实用新型提高了饱和输出功率和小信号增益，弥补了基于平板耦合外延结构散热差和增益低的问题，饱和输出功率可以提高到瓦级，小信号增益可以突破28dB。