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一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构

基本信息

申请号 CN202121035349.0 申请日 -
公开（公告）号 CN215264117U 公开（公告）日 2021-12-21
申请公布号 CN215264117U 申请公布日 2021-12-21
分类号 G02B6/30（2006.01）I 分类 光学;
发明人 孙立;胡金鑫;刘晖 申请（专利权）人 青岛影创信息科技有限公司
代理机构 上海港慧专利代理事务所（普通合伙） 代理人 卞小婷
地址 266288山东省青岛市即墨区通济新经济区九江路17号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构，包括铌酸锂薄膜板，所述铌酸锂薄膜板的底部安装有支撑结构，所述支撑结构包括芯片、插脚和方架，所述芯片的顶部与铌酸锂薄膜板的底部固接，所述芯片的底部四角分别等距加工有插脚。通过支撑结构中芯片底部的方架，对插脚外壁的进行贴合保护，避免了安装时插脚向外侧弯折，确保了使用，提高了实用性，随后将第二弧板与第一弧板顶部贴合，然后通过插杆将两个短板进行连接，实现了光纤的包裹支撑，防止连接处下坠脱离，确保正常使用，在安装时防护条先与支撑面进行贴合，使方架与支撑面进行隔离，避免了直接贴合造成的摩擦，防止底部损坏，便于推广使用。