一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺

基本信息

申请号 CN201710019679.2 申请日 -
公开(公告)号 CN106591937B 公开(公告)日 2019-11-26
申请公布号 CN106591937B 申请公布日 2019-11-26
分类号 C30B11/04(2006.01); C30B29/06(2006.01) 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王强; 尤敏; 陈云; 邓洁; 朱海峰; 章国安 申请(专利权)人 南通大学技术转移中心有限公司
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 代理人 南通大学
地址 226019 江苏省南通市啬园路9号南通大学6号楼205
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺,包括如下步骤:(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段;(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段;(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时,会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁,坩埚壁处的温度较高,导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动,接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时,缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度,避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象,采用了降温速率控制工艺,实现了铸锭工艺的优化。