一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺
基本信息
申请号 | CN201710019679.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN106591937B | 公开(公告)日 | 2019-11-26 |
申请公布号 | CN106591937B | 申请公布日 | 2019-11-26 |
分类号 | C30B11/04(2006.01); C30B29/06(2006.01) | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 王强; 尤敏; 陈云; 邓洁; 朱海峰; 章国安 | 申请(专利权)人 | 南通大学技术转移中心有限公司 |
代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 南通大学 |
地址 | 226019 江苏省南通市啬园路9号南通大学6号楼205 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺,包括如下步骤:(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段;(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段;(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时,会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁,坩埚壁处的温度较高,导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动,接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时,缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度,避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象,采用了降温速率控制工艺,实现了铸锭工艺的优化。 |
