一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构
基本信息
| 申请号 | CN202122291103.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215680369U | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN215680369U | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01F27/36（2006.01）I;H01F6/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘伟;李超;马鹏;张弛;李勇;葛正福;兰贤辉;冯勇;刘向宏;张平祥 | 申请（专利权）人 | 西安聚能超导磁体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安鼎迈知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘喜保 |
| 地址 | 710018陕西省西安市经济技术开发区明光路12号西部超导园区磁体厂房1幢1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构，包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体。磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。本实用新型将传统的无电工纯铁的磁控拉单晶硅磁体，或者单层的磁屏蔽结构，进行多层优化，在节约电工纯铁的基础上，以进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时多层磁屏蔽结构也可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构，造成磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运行稳定性问题的风险，提高磁控拉单晶用超导磁体的稳定性，保证生产效率及稳定性。 |
