一种半导体器件结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810171911.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108470686B | 公开（公告）日 | 2019-10-18 |
| 申请公布号 | CN108470686B | 申请公布日 | 2019-10-18 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 睿力集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 佟婷婷 |
| 地址 | 230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，方法包括：提供一衬底；于衬底上形成栅极结构；于衬底上形成贴附于栅极结构外侧壁的间隔结构，并于衬底上形成贴附于间隔结构外侧壁的接触导电层，其中，间隔结构至少包括第一间隔层及第二间隔层，第一间隔层形成于栅极结构的外侧壁上，第二间隔层形成于第一间隔层的外表面上，第二间隔层的介电常数低于第一间隔层的介电常数，第二间隔层的宽度大于等于第一间隔层的厚度2倍。通过上述方案，本发明的半导体器件结构可以通过间隔结构的优化，降低器件结构中所衍生的寄生电容，从而改善接触导电层电阻恶化的问题，改善器件性能；本发明的半导体器件结构的制备工艺简单，兼容性强，适于大规模工业生产。 |
