导体结构、电容器阵列结构及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

导体结构、电容器阵列结构及制备方法

基本信息

申请号	CN201711373297.6	申请日	-
公开（公告）号	CN108155152B	公开（公告）日	2019-09-06
申请公布号	CN108155152B	申请公布日	2019-09-06
分类号	H01L21/8242（2006.01）I; H01L27/108（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	睿力集成电路有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	佟婷婷
地址	230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种基于多晶硅制程的导体结构、电容器阵列结构及制备方法，导体结构制备包括：提供一基底，于基底中形成凹穴结构；于凹穴结构内形成导体填充结构，形成导体填充结构的材料源至少包含硅源及锗源，锗源中的锗原子作为硅源中硅原子聚集生长的晶核，以增大导体填充结构中的硅结晶粒度。通过上述方案，本发明提出了制造大晶粒多晶硅的方式，引入了作为硅晶粒聚集生长的晶核元素，如锗，使硅原子聚集进而加大结晶粒度，增加多晶硅结晶粒度可以减少晶界陷阱对载子的影响进而增加导电率，本发明还通过保护层的设置，防止导体填充结构中的锗对制程的影响，达到了导体填充结构与其他结构层之间的有效连接，进一步改善了导体填充结构的电学性能。