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基于高K介质膜层结构的电容器

基本信息

申请号 CN201810355293.3 申请日 -
公开（公告）号 CN108649025B 公开（公告）日 2019-10-18
申请公布号 CN108649025B 申请公布日 2019-10-18
分类号 H01L23/64 分类 基本电气元件;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 睿力集成电路有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种基于高K介质膜层结构的电容器，基于高K介质膜层结构的电容器包括具有接触孔的绝缘层，接触孔覆盖于下电极的表面并显露下电极；基于高K介质膜层结构的电容器具有至少一个剖面为U型的下极板，下极板的底部填充接触孔且与下电极连接；基于高K介质膜层结构的电容器的高K介质膜层结构及上极板与下电极通过绝缘层间隔。本发明的基于高K介质膜层结构的电容器不仅可以利用多组高K介质循环结构获得更大的电荷储存容量，还可以有效降低漏电流；具有更高的电容及更小的漏电流，有利于动态随机存取存储器刷新频率的降低，并提高动态随机存取存储器的数据保存能力。