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电容器阵列及其形成方法、半导体器件

基本信息

申请号 CN201810387467.4 申请日 -
公开（公告）号 CN108550568B 公开（公告）日 2020-04-10
申请公布号 CN108550568B 申请公布日 2020-04-10
分类号 H01L23/64;H01L27/108 分类 基本电气元件;
发明人 吴双双 申请（专利权）人 睿力集成电路有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 智云
地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种电容器阵列及其形成方法、半导体器件，所述方法包括：在基底上形成交替叠置的主体支撑层与牺牲层，然后形成贯穿牺牲层与主体支撑层的通孔，在通孔内形成下电极，下电极呈多个筒状结构，接着去除位于顶层的牺牲层，形成辅助支撑层，辅助支撑层的第一部分遮盖筒状结构的顶部开口，第二部分覆盖主体支撑层，第三部分连接第一部分与第二部分并位于主体支撑层上，之后去除辅助支撑层中的第一部分与第二部分以及由第二部分覆盖的主体支撑层，辅助支撑层的第三部分与剩余的主体支撑层组共同支撑下电极的顶部，以此解决电容器容易倒塌的问题，同时能够维持足够的电容高度，有效提高了电容器的容量及质量。