一种改善薄膜沉积均匀度的方法
基本信息
| 申请号 | CN201711086329.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107881486B | 公开（公告）日 | 2019-08-16 |
| 申请公布号 | CN107881486B | 申请公布日 | 2019-08-16 |
| 分类号 | C23C16/455 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 睿力集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种改善薄膜沉积均匀度的方法，该方法包括如下步骤：采用晶舟承载多片晶圆；所述晶舟具有头部和尾部，多片晶圆排列放置于晶舟的头部和尾部之间；在多片晶圆与晶舟头部，和/或在多片晶圆与晶舟尾部之间放置档控片；将承载有晶圆和档控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积；其中，所述档控片具有非平坦的表面结构。本发明导入具有非平坦表面结构的挡控片取代现有技术中的平坦的挡控片，藉由增加挡控片吸附面积增加吸附气体能力，可有效地降低临近挡控片产品边缘厚度，从而可有效改善芯片膜厚均匀度，平滑晶舟位置边缘良率损失的曲线以提升产品良率。 |
