一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202011483964.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112595874A | 公开（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申请公布号 | CN112595874A | 申请公布日 | 2021-04-02 |
| 分类号 | G01R15/20(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 陈忠志;赵翔;彭卓;刘学 | 申请（专利权）人 | 成都芯进电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李朝虎 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新区（西区）天辰路88号3号楼2单元401室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构，包括U型框架、隔离芯片和用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的顶面通过DAF薄膜粘贴连接用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的底面通过DAF薄膜粘贴连接U型框架的最大横截面；利用栅氧化层的高击穿电压特性来实现超薄隔离芯片，实现高击穿电压的同时，压缩霍尔传感器芯片与导线之间的距离，降低霍尔传感器的灵敏度需求，提升线性度，温度特性和抗干扰特性；可以满足6000V RMS隔离电压的电流传感器封装结构。 |
