一种SOI横向恒流二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910873979.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110491889A | 公开（公告）日 | 2019-11-22 |
| 申请公布号 | CN110491889A | 申请公布日 | 2019-11-22 |
| 分类号 | H01L27/12（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L29/861（2006.01）; H01L21/329（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 乔明; 何林蓉; 邓琪 | 申请（专利权）人 | 成都矽能科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 葛启函 |
| 地址 | 610093 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种SOI横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、第一导电类型轻掺杂硅、第二导电类型扩散阱区、第一导电类型沟道注入区、第二导电类型重掺杂区、第一重掺杂区、第二重掺杂区、氧化介质层、金属阳极和金属阴极，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区均为第一导电类型。本发明恒流二极管采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。 |
