一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅
基本信息
| 申请号 | CN201921418257.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210092089U | 公开（公告）日 | 2020-02-18 |
| 申请公布号 | CN210092089U | 申请公布日 | 2020-02-18 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/74 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 乔明;齐钊;邓琪 | 申请（专利权）人 | 成都矽能科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 葛启函 |
| 地址 | 610093 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，包括P型衬底，P型衬底上表面两侧设置的N阱区和P阱区，N阱区内表面设置的阳极，P阱区内表面设置的阴极，设置在P型衬底上表面且两端设置在N阱区和P阱区内部的第三N+区，N型隔离环和/或P型隔离环。其中N型隔离环包括设置在N阱区下方的N埋层，设置在N阱区远离P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第一N型深注入层，设置在N阱区靠近P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第二N型深注入层；P型隔离环包括设置在P阱区下方的P埋层，设置在P阱区远离N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第一P型深注入层，设置在P阱区靠近N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第二P型深注入层。 |
