一种恒流器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN201910837564.3 申请日 -
公开(公告)号 CN110473871A 公开(公告)日 2019-11-19
申请公布号 CN110473871A 申请公布日 2019-11-19
分类号 H01L27/07(2006.01)I; H01L29/10(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I; H01L29/808(2006.01)I; H01L21/8232(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 乔明; 孟培培; 邓琪 申请(专利权)人 成都矽能科技有限公司
代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人 葛启函
地址 610093 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种恒流器件及其制造方法,属于半导体器件技术领域。本发明在P型衬底上通过扩散或外延的方式形成两个独立的第一N型区和第二N型区,并在第一N型区内设置第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区形成恒流二极管结构,在第二N型区内设置第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成纵向PNP三极管结构。恒流二极管的恒定电流为PNP三极管基区提供电流,使整个恒流器件总的输出电流变为传统恒流二极管的(1+β)倍,器件单位面积电流大幅提升,节约了芯片面积与成本;PNP三极管放大系数β的正温度系数补偿了恒流二极管恒定电流的负温度系数,提升器件温度稳定性;P型衬底采用轻掺杂材料时提高了PNP三极管与恒流二极管的击穿电压,拓宽了本发明的工作电压范围。