一种恒流器件及其制造方法
基本信息
申请号 | CN201910837564.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110473871A | 公开(公告)日 | 2019-11-19 |
申请公布号 | CN110473871A | 申请公布日 | 2019-11-19 |
分类号 | H01L27/07(2006.01)I; H01L29/10(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I; H01L29/808(2006.01)I; H01L21/8232(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 乔明; 孟培培; 邓琪 | 申请(专利权)人 | 成都矽能科技有限公司 |
代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 葛启函 |
地址 | 610093 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种恒流器件及其制造方法,属于半导体器件技术领域。本发明在P型衬底上通过扩散或外延的方式形成两个独立的第一N型区和第二N型区,并在第一N型区内设置第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区形成恒流二极管结构,在第二N型区内设置第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成纵向PNP三极管结构。恒流二极管的恒定电流为PNP三极管基区提供电流,使整个恒流器件总的输出电流变为传统恒流二极管的(1+β)倍,器件单位面积电流大幅提升,节约了芯片面积与成本;PNP三极管放大系数β的正温度系数补偿了恒流二极管恒定电流的负温度系数,提升器件温度稳定性;P型衬底采用轻掺杂材料时提高了PNP三极管与恒流二极管的击穿电压,拓宽了本发明的工作电压范围。 |
