一种Ⅱ-类超晶格红外探测器吸收区结构
基本信息
| 申请号 | CN201820644882.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208422929U | 公开（公告）日 | 2019-01-22 |
| 申请公布号 | CN208422929U | 申请公布日 | 2019-01-22 |
| 分类号 | H01L31/0304;H01L31/09 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 詹健龙;茹国海 | 申请（专利权）人 | 嘉兴风云科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 程开生 |
| 地址 | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种Ⅱ‑类超晶格红外探测器吸收区结构，吸收区由若干层超晶格层依次叠加构成，每层超晶格层从下往上依次包括有InAs层、第一类GaAs界面、第一GaSb层、第一InSb层、第二GaSb层、第二InSb层、第三GaSb层、第二类GaAs界面。本实用新型的Ⅱ‑类超晶格红外探测器吸收区结构，通过调整InAs层和第二GaSb层的厚度，能够实现对短波红外（SWIR，1‑3微米）、中波红外（MWIR，3‑5微米）、长波红外（LWIR，8‑12微米）、甚长波红外（VLWIR，12‑30微米）中任意一种进行高效地吸收。 |
