多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910473292.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110133017B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN110133017B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | G01N23/20008（2018.01）I;G01N23/207（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 宮尾秀一 | 申请（专利权）人 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法，多晶硅熔化参数的检测方法包括：提供多个满足预设要求的多晶硅试样；对所述多个多晶硅试样分别进行衍射分析，确定指定的米勒指数面衍射强度的变动量；根据指定的米勒指数面衍射强度的变动量，确定所述多晶硅试样的熔化参数。这样可以筛选出熔化性能好的硅块，并将筛选得到的硅块作为生产单晶硅的原料，可以防止在CZ单晶硅制作过程时出现结晶线紊乱现象，可以提高单晶硅的质量和生产效率。 |
