一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法
基本信息
申请号 | CN202210620140.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114695210A | 公开(公告)日 | 2022-07-01 |
申请公布号 | CN114695210A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 郝宁;王力 | 申请(专利权)人 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
代理机构 | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明实施例公开了一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法,所述硅片边缘具有切口,所述装置包括:第一驱动器,所述第一驱动器用于使硅片绕中心轴线转动;感测器,所述感测器用于感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置;喷头,所述喷头用于喷射刻蚀液;第二驱动器,所述第二驱动器用于根据所述感测器感测到的位置使所述喷头在所述边缘上进行第一移动,以使所述刻蚀液以所述喷头与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处。通过应用于上述装置的方法,在刻蚀过程中通过改变喷头的刻蚀路径能够实现对具有切口的硅片的边缘均匀刻蚀。 |
