多晶硅二次加料装置、多晶硅铸锭设备

基本信息

申请号 CN202011073109.X 申请日 -
公开(公告)号 CN112048763B 公开(公告)日 2022-07-12
申请公布号 CN112048763B 申请公布日 2022-07-12
分类号 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B15/02(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 衡鹏;李阳 申请(专利权)人 西安奕斯伟硅片技术有限公司
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种多晶硅二次加料装置,包括加料筒,所述加料筒沿其延伸方向的顶部和底部均具有开口,所述加料筒的顶部开口处设置有盖体,所述加料筒底部开口设置有挡板,所述挡板靠近所述顶部的一侧连接有能够使得所述挡板移动以打开所述加料筒底部的开口的移动连接件,所述加料筒的侧壁包括套设的内侧壁和外侧壁,所述内侧壁和外侧壁之间的容纳空间内设置有加热结构,所述加热结构用于对加料筒内的多晶硅进行预热。