一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110186966.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035999A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035999A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/115;H01L31/032 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 齐红基;赛青林 | 申请（专利权）人 | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘文求;朱阳波 |
| 地址 | 311400 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法，掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。本发明采用掺Al氧化镓单晶，通过在氧化镓中掺杂Al提高探测器的电阻率，并将掺Al氧化镓单晶切割后得到单晶基体片，并对单晶基体片进行退火处理，通过退火处理降低掺Al氧化镓单晶中自由电子浓度，从而提高探测器的灵敏度。 |
