一种提升镓在高分子膜中复合程度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110676804.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113540587A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113540587A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01M10/42;H01M10/052;H01M4/04;B82Y40/00;B82Y30/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛金伟;韩鑫;韩甜;姜舟 | 申请（专利权）人 | 江苏智蓝电源科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州信策知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李锦 |
| 地址 | 211400 江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道西侧-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种提升镓在高分子膜中复合程度的方法，方法按照以下步骤实现：碳纳米管与有机溶剂混合，通过高频超声波震荡、磁力搅拌，使碳纳米管均匀分散；在碳纳米管溶液中加入大分子量高分子材料和高纯度金属镓单质，通过高频超声波震荡、水浴加热磁力搅拌，得到镓基薄膜前驱体溶液；取适量前驱体溶液，在匀胶机上按一定转速与时间得到镓基薄膜。本发明通过碳纳米管提升镓在高分子膜中复合程度的方法能够显著增加镓基薄膜中镓的负载量，缩小镓的粒径，提升镓粒的分散程度，降低界面阻抗，减少了繁琐的工艺，同时对锂枝晶能够有效地抑制。经过该提升镓在高分子膜中复合程度的方法改善后的镓基薄膜性能有了明显提高。 |
