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一种基于单向可控硅的过压保护电路

基本信息

申请号	CN201620653742.9	申请日	-
公开（公告）号	CN205693352U	公开（公告）日	2016-11-16
申请公布号	CN205693352U	申请公布日	2016-11-16
分类号	H02H9/04(2006.01)I	分类	发电、变电或配电;
发明人	侯飞燕	申请（专利权）人	扬州森泰电气设备有限公司
代理机构	北京中创阳光知识产权代理有限责任公司	代理人	南安泰达工业设计有限公司;扬州森泰电气设备有限公司
地址	362000 福建省泉州市南安市康美镇团结村村口272号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种基于单向可控硅的过压保护电路，包括电阻R1、二极管D1、电容C1、单向可控硅VS1、三极管VT1和继电器J1，所述二极管D1负极分别连接电压采样端、开关S和电阻R3，开关S另一端连接三极管VT1发射极，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT2集电极连接电阻R3另一端，三极管VT2发射极通过电容C1连接单向可控硅VS1的G极。本实用新型基于单向可控硅的过压保护电路，采用单向可控硅VS1配合三极管以及继电器进行控制，有效对采样端负载进行过压保护，而且在故障解除后，能一键恢复到保护前的状态，安全便捷，电路结构简单，成本低，体积小。