一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110216502.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113005519B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN113005519B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有籽晶预处理方法不能提供长期稳定保护而使制备的碳化硅晶体产生缺陷的问题，本发明提供了一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法，先用氢氟酸浸泡碳化硅籽晶，再将碳化硅籽晶放入100℃去离子水中加热得到氢钝化的碳化硅籽晶；在氢钝化的碳化硅籽晶的生长面覆盖一层保护膜，得到预处理籽晶；最后采用PVT法以所得预处理籽晶为基础制备碳化硅晶体。本发明采用氢钝化与保护膜相结合的预处理方式，能够长期维持籽晶表面的低氧杂质含量状态，解决了氧杂质对半绝缘型碳化硅晶片制备的阻碍，提高了碳化硅晶体的良品率。 |
