一种PVT法生长高质量晶体的装置
基本信息
| 申请号 | CN202010217926.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111321461B | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN111321461B | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵丽丽;袁文博;张胜涛;范国峰 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李晓敏 |
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种PVT法生长高质量晶体的装置，属于氮化铝或碳化硅晶体生长技术领域。提高原料利用率，保证原料升华的蒸气中组分比率及压力，并解决了晶体固定及拆卸的困难，避免了晶体内部应力的产生，得到高质量晶体。包括坩埚体、承托盘、轴、过滤板、坩埚盖和籽晶托，埚体的上部可拆卸安装有籽晶托，籽晶托的上部可拆卸安装有坩埚盖，过滤板位于坩埚体的内部，承托盘滑动安装于坩埚体的内部，轴穿过承托盘与过滤板连接；坩埚体包括生长室和粉料室，生长室位于粉料室的上侧，生长室内安装有过滤板，承托盘滑动安装于粉料室内，粉料室的上部为圆台形。 |
