一种适用于多尺寸晶体生长的热场设备及方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种适用于多尺寸晶体生长的热场设备及方法

基本信息

申请号	CN202011109662.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112176401B	公开（公告）日	2022-05-20
申请公布号	CN112176401B	申请公布日	2022-05-20
分类号	C30B15/00（2006.01）I;C30B15/14（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
代理机构	哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	150000黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种晶体生长的热场设备及方法，属于晶体制备领域。解决晶体生长尺寸单一，效率低难量产的问题。包括冷却保护系统、抽真空系统、仪表控制系统、工艺供气系统、坩埚升降系统、热场保温系统、感应加热系统、红外检测系统、感应加热升降系统、电源高频加热系统、空调系统和供电系统，热场保温系统下侧安装坩埚升降系统，热场保温系统外侧安装感应加热系统，热场保温系统上侧安装红外检测系统，热场保温系统与冷却保护系统连接，抽真空系统与热场保温系统和工艺供气系统连接，热场保温系统和工艺供气系统与仪表控制系统连接，电源高频加热系统与仪表控制系统连接，感应加热升降系统与感应加热系统连接。能根据不同尺寸的长晶要求制备晶体。