一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法
基本信息
| 申请号 | CN202110666260.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113403681B | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN113403681B | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3043号哈尔滨松北（深圳龙岗）科技创新产业园12栋1-5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，它属于PVT法碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为通过改变粉料的添加方法来优化晶体生长。本发明第一粉料为纯碳化硅粉料、第二粉料为混合均匀的添加10‑30wt％活性碳粉的碳化硅粉料、第三粉料为混合均匀的添加1‑30wt％活性碳粉的碳化硅粉料，首先向坩埚底部加入一定质量的第一粉料，然后在坩埚中心插入第二粉料添加区相同体积、无上下底的圆筒，向圆筒中加入第二粉料，向圆筒和坩埚的缝隙中加入剩余的第一粉料，之后小心取出圆筒，再加入第三粉料，完成PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加。本发明能够提高生长出晶体的总质量。 |
