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一种电阻式方形碳化硅单晶生长工艺

基本信息

申请号	CN202111282333.4	申请日	-
公开（公告）号	CN114016135A	公开（公告）日	2022-02-08
申请公布号	CN114016135A	申请公布日	2022-02-08
分类号	C30B29/36（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
代理机构	哈尔滨市晨晟知识产权代理有限公司	代理人	朱永林
地址	150000黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3043号哈尔滨松北（深圳龙岗）科技创新产业园12栋1-5楼
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种碳化硅生长工艺，具体涉及一种电阻式方形碳化硅单晶生长工艺。该生长工艺主要包括：机械泵抽真空阶段、机械泵与分子泵抽高真空阶段、初加热阶段、引晶阶段、生长阶段、降温阶段。其特征在于：首先通过机械泵对单晶炉腔体抽低真空，启动分子泵，二者结合抽至单晶炉高真空，进入初步加热阶段，向炉内充入一定流量的氮气及氩气，并使炉内温度压力控制在合理范围，温度恒定指定时间，再次加大炉内压力值，使炉内温度快速升高，同时设定坩埚匀速转动，此时原料升华至籽晶表面进行引晶；引晶结束碳化硅晶体进入生长阶段，调节主加热器及副加热器，使炉内形成合理温梯，为晶体生长提供原动力，长晶至一定厚度进入降温阶段，调节炉内温度以一定的速度缓慢降至室温，最终取出碳化硅晶体。该生长工艺的设计，可有效降低方形碳化硅晶体生长过程中内部缺陷产生的几率。