AlN籽晶精确扩径的装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202010218338.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111321472B | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN111321472B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | C30B35/00（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵丽丽;范国峰;张胜涛;袁文博;刘德超 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李晓敏 |
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种AlN籽晶精确扩径的装置及方法，属于晶体生长领域。操作简单，效率高，根据需要制作相应尺寸的AlN晶体。AlN籽晶精确扩径的装置包括石墨加热器、坩埚和生长组合，坩埚位于石墨加热器的内部，生长组合位于坩埚的内部，碳化硅籽晶垫圈与坩埚垫圈和坩埚体可拆卸连接，可通过更换不同尺寸的碳化硅籽晶垫圈来获得相应尺寸的AlN籽晶，操作简单，从根本上解决了氮化铝晶体生长过程中，扩径困难的问题，相比于现有技术，AlN籽晶精确扩径的装置及方法加快氮化铝晶体生长扩径速率和节省氮化铝晶体生长扩径的费用和时间，加快氮化铝晶体生长行业的发展进程。 |
