反转铜箔生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010414897.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111424294A | 公开（公告）日 | 2020-07-17 |
| 申请公布号 | CN111424294A | 申请公布日 | 2020-07-17 |
| 分类号 | C25D1/04;C23G1/10;C25F3/02;C25D3/56;C09D183/04;C09D167/00;C09D7/63 | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 万新领;高元亨;何宏杨;罗志艺 | 申请（专利权）人 | 惠州联合铜箔电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 梁英 |
| 地址 | 516000 广东省惠州市博罗县湖镇镇罗口顺 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种反转铜箔生产工艺，属于电解铜箔技术领域，工艺过程包括电解生箔及表面处理，所述表面处理包括：微蚀→酸洗→粗化→水洗→固化→水洗→粗化→水洗→固化→水洗→表面合金化处理→水洗→表面抗氧化处理→水洗→钝化→在毛面上涂覆抗粘膜→硅烷化处理→干燥，所述涂覆抗粘膜中各组分的组成以及含量为，有机氯硅烷35.5～46wt％、机聚硅氧烷树脂27.8～33wt％、氨基硅烷12.7～20.1wt％、聚酯树脂10.2～12.2wt％、酸性白土催化剂2～8.2wt％，所述涂覆抗粘膜的厚度为3μm。采用本发明生产工艺。可以在减少铜箔表面的残铜率同时，保证铜箔表面与蚀刻阻剂的结合力，并且保证铜箔的延伸率。 |
