一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910387117.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110054594B | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN110054594B | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | C07D265/16;C07D498/20;C07D265/12;C07D498/04;C07D498/22;C08G61/02;G03F1/56 | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 王静;肖楠 | 申请（专利权）人 | 福建泓光半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赖秀华 |
| 地址 | 363005 福建省漳州市高新区九湖镇林前村林前773号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于光刻领域，具体涉及一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法。所述抗蚀剂下层膜组合物含有结构如式（1）所示的抗蚀剂下层膜单体、芳香族聚合物以及溶剂；式（1）中，X为氧原子、硫原子或两个独立的氢原子；不同位置的m各自独立地为0或1；R1和R2各自独立地为氢、C1‑C8的烷基、经取代或未经取代的苯基；R3‑R6各自独立地为氢原子、带有或不带有杂原子的具有1‑10个碳原子的直链、支链、单环或多环的不饱和基团；R3和R4、R5和R6能够选择性彼此独立连接，形成环状。本发明提供的抗蚀剂下层膜组合物具有高耐刻蚀性和耐热性。 |
