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硅纳米线压力传感器及悬臂梁及制作方法及其测量压力的方法

基本信息

申请号 CN200810116699.2 申请日 -
公开（公告）号 CN101397121A 公开（公告）日 2009-04-01
申请公布号 CN101397121A 申请公布日 2009-04-01
分类号 B81B7/02(2006.01)I;G01L1/22(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 姜岩峰 申请（专利权）人 北京一品传奇信息技术有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 赵镇勇
地址 100041北京市石景山区晋元庄5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅纳米线压力传感器悬臂梁及制作方法及其测量压力的方法，首先生长20nm左右的硅纳米线，进行烘干处理后，用扫描隧道显微镜STM针尖操作将硅纳米线装配到微电子机械的悬臂梁上。在悬臂梁被释放前、后，通过测量硅纳米线传感器的电阻变化，可以确定出对应悬臂梁的应变大小，并根据所测量的电阻大小，推导出一个应力参数η＝|Ra-Rb|×(Ra/Rb)，该参数与对应被测量的应变大小直接成正比，可以很容易的根据硅纳米线的电阻变化对应查出待测的应力的大小。操作方便、测量精度高。