一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210363700.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695124A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695124A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王利霞;张欣;钮伟;胡洪萁;普勇 | 申请（专利权）人 | 南京邮电大学 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 210023江苏省南京市栖霞区文苑路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。 |
