一种基于Bi2Se3-石墨烯异质结衬底的倾斜磁隧道结存储器
基本信息
| 申请号 | CN202210258731.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695653A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695653A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L43/10（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I;H01L43/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李善航;王伟;杨睿卿 | 申请（专利权）人 | 南京邮电大学 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 210046江苏省南京市栖霞区文苑路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于Bi2Se3‑石墨烯异质结衬底的倾斜磁隧道结存储器，所述存储器的结构由上至下依次包括顶电极、SOT‑MTJ和衬底；所述衬底为Bi2Se3‑石墨烯异质结结构；所述SOT‑MTJ为层状结构，从上至下依次包括参考层、隧穿层、重金属层和自由层，其中，所述参考层和所述自由层均采用CoFeB材料，所述隧穿层采用MgO材料；所述参考层和所述隧穿层之间形成楔形倾斜，所述重金属层和所述自由层之间形成楔形倾斜。本发明的存储器可以通过控制磁易轴稍微偏离z方向，实现电流诱导的无场磁化；通过读写分离，实现了无需外部磁场即可读写的功能。 |
