压力传感器及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201110433740.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102515090B | 公开（公告）日 | 2014-11-05 |
| 申请公布号 | CN102515090B | 申请公布日 | 2014-11-05 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 毛剑宏;唐德明 | 申请（专利权）人 | 丽水珏意芯诚电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司;丽水珏意芯诚电子科技合伙企业（有限合伙）;浙江珏芯微电子有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种压力传感器及其形成方法，形成压力传感器的方法包括：提供半导体基底，在半导体基底内具有控制电路和互连结构，在半导体基底上形成有底部电极，互连结构将底部电极和控制电路电连接；形成牺牲层，覆盖底部电极；形成顶部电极，覆盖牺牲层的顶面、侧面以及部分半导体基底，顶部电极具有第一开口，第一开口暴露出牺牲层；通过第一开口去除牺牲层，在顶部电极和底部电极之间形成空腔；形成介质层，覆盖半导体基底和顶部电极，介质层具有呈环状的第二开口，第二开口隔离出与底部电极相对的部分顶部电极，该隔离出的部分顶部电极作为压力传感区。本技术方案形成压力传感器的方法与CMOS工艺兼容，形成方法简单。 |
