压力传感器和惯性传感器及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201310508730.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103708409B | 公开（公告）日 | 2015-10-07 |
| 申请公布号 | CN103708409B | 申请公布日 | 2015-10-07 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 毛剑宏 | 申请（专利权）人 | 丽水珏意芯诚电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张家港丽恒光微电子科技有限公司;上海丽恒光微电子科技有限公司;丽水珏意芯诚电子科技合伙企业（有限合伙）;浙江珏芯微电子有限公司 |
| 地址 | 215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港丽恒光微电子科技有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种压力传感器和惯性传感器及其形成方法，形成方法包括：提供具有CMOS控制电路的衬底，衬底包括第一区和第二区；在第一区上形成第一牺牲层，在第二区上形成第二牺牲层；形成顶部电极和第一电极；在顶部电极中形成第一开口，通过第一开口去除第一牺牲层；在顶部电极和第一电极上形成质量层；质量层的材料选用与CMOS控制电路形成工艺兼容的材料；在顶部电极上的质量层中形成第二开口，形成电容的两相对极板、与质量块连接的弹性件，第二开口包围的部分顶部电极作为压力感应区。本发明可以将压力传感器和惯性传感器在同一工艺中形成、而且和CMOS工艺兼容。 |
