应用于三维片上集成系统的薄膜晶体管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201010568989.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102487087B | 公开（公告）日 | 2014-08-13 |
| 申请公布号 | CN102487087B | 申请公布日 | 2014-08-13 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王志玮;唐德明 | 申请（专利权）人 | 丽水珏意芯诚电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 张家港市高松专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张家港丽恒光微电子科技有限公司;上海丽恒光微电子科技有限公司;丽水珏意芯诚电子科技合伙企业（有限合伙）;浙江珏芯微电子有限公司 |
| 地址 | 215613 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种应用于三维片上集成系统的薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管位于半导体结构上，所述半导体结构包括：半导体衬底，基于所述半导体衬底形成的半导体器件层，位于所述半导体器件层上的至少一层局部/全局互连金属层，所述薄膜晶体管包括基于半导体材料在所述互连金属层上形成的栅极、源电极和漏电极，从而可以降低SOC的成本，增强SOC的功能。 |
