一种在PECVD中实现纵向及横向石墨烯可控制备的方法
基本信息
申请号 | CN201710083603.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN106927453B | 公开(公告)日 | 2018-12-04 |
申请公布号 | CN106927453B | 申请公布日 | 2018-12-04 |
分类号 | C01B32/186 | 分类 | 无机化学; |
发明人 | 刘忠范;亓月;张艳锋 | 申请(专利权)人 | 北大资产经营有限公司 |
代理机构 | 北京方安思达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京大学;北京石墨烯研究院有限公司 |
地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于石墨烯制备领域,具体地,涉及一种在PECVD中实现纵向及横向石墨烯可控制备的方法。本发明包括以下步骤:1)依次用乙醇、丙酮、异丙醇对玻璃基底进行清洗;然后用氩气吹干玻璃基底;2)将被法拉第笼包裹的玻璃基底置于PECVD腔内,将基底加热到540~580℃;3)加入氩气、甲烷与氢气,产生等离子体,生长60~120分钟;4)关闭等离子体发生源,在氩气氛围下自然降温至50℃以下,开腔得到的石墨烯玻璃样品。本发明在PECVD中通过法拉第笼效应在透明、绝缘基底上低温制备的二维横向石墨烯技术可以实现比同等基底、同等温度下,没有法拉第笼作用下得到的纵向石墨烯纳米墙更优的导电性、更高的透光率以及更好的均匀性。 |
