一种背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件及其制备方法和太阳能电池
基本信息
申请号 | CN202010881189.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114203843A | 公开(公告)日 | 2022-03-18 |
申请公布号 | CN114203843A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
分类号 | H01L31/043(2014.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 刘祖辉;陈龙;蒋方丹 | 申请(专利权)人 | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 巩克栋 |
地址 | 314000浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件及其制备方法和太阳能电池,所述背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件通过在硅异质结电池组件前表面设置透明导电层,并在所述透明导电层的前表面设置有呈叉指式交错分布的钙钛矿电子传输层和钙钛矿空穴传输层,实现钙钛矿电子传输层和钙钛矿空穴传输层的背接触设计,既可以避免正面电极的遮光损失,又能尽量消除顶部透明导电层对光的寄生吸收,提高了太阳能电池的转化效率。 |
