一种基于量子碳膜的pn结二极管结构及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010187405.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111524993A | 公开（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申请公布号 | CN111524993A | 申请公布日 | 2020-08-11 |
| 分类号 | H01L31/103(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘萍;刘丹 | 申请（专利权）人 | 湖北云邦科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 湖北云邦科技有限公司 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖高新技术开发区佛祖岭四路云邦科技大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种基于量子碳膜的pn结二极管结构及制作方法，该pn结二极管结构包括：p型基板，所述p型基板是由多层石墨烯层上下层叠形成的量子碳膜基板；位于所述p型基板的上侧的n型层，所述n型层是通过在所述p型基板中注入掺杂元素而形成，所述n型层与所述p型基板形成pn结；位于所述n型层上与所述n型层形成欧姆接触的上电极；以及位于所述p型基板的下侧与所述p型基板形成欧姆接触的下电极。该pn结二极管结构可应用于高温、高频、高效的大功率器件，能够提高器件性能。该制作方法工艺简单，易于量产和普及。 |
