焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片
基本信息
申请号 | CN201410519307.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104269465B | 公开(公告)日 | 2016-12-07 |
申请公布号 | CN104269465B | 申请公布日 | 2016-12-07 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 侯治锦;司俊杰;王巍;韩德宽;吕衍秋;王锦春 | 申请(专利权)人 | 中航凯迈(上海)红外科技有限公司 |
代理机构 | 郑州睿信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中国空空导弹研究院 |
地址 | 201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区天骄路336号1幢A206室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片,本发明提出的相连缺陷元识别方法,将基片处理为一种特殊的具备两种透光率的基片,即在同一基片上,形成具有两种透光率的区域。对于正常元,其响应电压与光敏元所对准的透光率区域对应;对于相连缺陷元,其响应电压是正常元响应电压的平均值(求和求平均);从而识别相邻缺陷元。方法简单易行,效果明显,具有较大的实际应用价值。 |
