焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片

基本信息

申请号 CN201410519307.2 申请日 -
公开(公告)号 CN104269465B 公开(公告)日 2016-12-07
申请公布号 CN104269465B 申请公布日 2016-12-07
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 侯治锦;司俊杰;王巍;韩德宽;吕衍秋;王锦春 申请(专利权)人 中航凯迈(上海)红外科技有限公司
代理机构 郑州睿信知识产权代理有限公司 代理人 中国空空导弹研究院
地址 201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区天骄路336号1幢A206室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片,本发明提出的相连缺陷元识别方法,将基片处理为一种特殊的具备两种透光率的基片,即在同一基片上,形成具有两种透光率的区域。对于正常元,其响应电压与光敏元所对准的透光率区域对应;对于相连缺陷元,其响应电压是正常元响应电压的平均值(求和求平均);从而识别相邻缺陷元。方法简单易行,效果明显,具有较大的实际应用价值。