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一种多层结构V2O3限流元件的制备方法

基本信息

申请号 CN201210163557.8 申请日 -
公开（公告）号 CN102682940A 公开（公告）日 2012-09-19
申请公布号 CN102682940A 申请公布日 2012-09-19
分类号 H01C7/02(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨敬义;刘青 申请（专利权）人 成都顺康新科孵化有限公司
代理机构 成都博通专利事务所 代理人 谢焕武
地址 611731 四川省成都市高新西区新航路4号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种多层结构V2O3限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备：a、配制介质陶瓷浆料及导电陶瓷浆料；b、在巴块模板上形成介质陶瓷膜，并用加热方式使其干燥固化形成陶瓷层；c、在已固化的陶瓷层上形成导电陶瓷膜；d、用加热方式形成V2O3功能层；e、在已固化的V2O3功能层上形成介质陶瓷膜；f、使介质陶瓷膜固化形成陶瓷层；g、继续执行c至f步骤直至形成所需要的陶瓷层或V2O3功能层数，经切割后而制成多层结构V2O3限流元件的生坯；h、将多层结构V2O3限流元件的生坯排胶、烧结，制成多层结构V2O3限流元件的芯片，再经端涂、电镀工序制成成品。