阵列基板及制作方法、显示面板
基本信息
| 申请号 | CN202110769687.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113467145A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113467145A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | G02F1/1368（2006.01）I;G02F1/1362（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 钟德镇;邹忠飞 | 申请（专利权）人 | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海波拓知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡光仟 |
| 地址 | 215301江苏省苏州市昆山开发区龙腾路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板及制作方法、显示面板，该阵列基板包括：基底；设于基底上的第一金属层，第一金属层包括扫描线和栅极；覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；设于第一绝缘层上侧的第一透明金属氧化物层，第一透明金属氧化物层包括源极和漏极；设于第一绝缘层上侧的第二金属层，第二金属层包括数据线；设于第一绝缘层上侧的半导体层，半导体层包括连接源极和漏极的有源层；设于第一绝缘层上侧的像素电极，像素电极与漏极导电连接。通过将源极和漏极采用透明金属氧化物层制成，透明金属氧化物的性能比较稳定，从而使得源极和漏极不会向TFT沟道扩散离子，提高了TFT的稳定性，避免了TFT阈值电压偏移、迁移率下降以及漏电流增大的问题。 |
