三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备
基本信息
| 申请号 | CN202010663310.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111925506B | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN111925506B | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | C08G61/12（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 汪成;虢德超;马东阁;张洪岩;代岩峰;常海洋;孙治尧;乔现峰;王淑红 | 申请（专利权）人 | 黑龙江大学 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 510640广东省广州市天河区五山路381号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于有机电存储材料的技术领域，公开了三苯胺‑芴‑苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备。所述低带隙三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层，有机层为所述低带隙三元共聚物；还包括衬底，阴极和阳极。本发明还公开了低带隙三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有低能带隙，较强空穴传输，能够提高电存储器件的性能。制备的电存储器件开启电压低，能耗小，能够延长器件寿命，开关电流比高，大大提高了存储密度，可进行多次循环读写，性能优良。 |
