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一种并行双片NANDFLASH中物理擦除块动态关联的方法

基本信息

申请号	CN202010118401.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113391755A	公开（公告）日	2021-09-14
申请公布号	CN113391755A	申请公布日	2021-09-14
分类号	G06F3/06（2006.01）I;G06F12/02（2006.01）I;G06F12/10（2016.01）I	分类	计算；推算；计数;
发明人	杨诚	申请（专利权）人	北京君正集成电路股份有限公司
代理机构	北京竹辰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	聂鹏
地址	100193北京市海淀区西北旺东路10号院东区14号楼一层A101-A113
法律状态	-

摘要

本发明提供一种并行双片NAND FLASH中物理擦除块动态关联的方法，包括以下步骤：S1在启动过程中，分别对所有物理擦除块进行扫描，对应构建两个链表用表a和表b表示，每个链表对象至少包含“块序列号”信息，根据坏块信息创建BBT；S2建立逻辑擦除块和物理擦除块之间的关联，创建逻辑块关联表p，表中每个节点用来描述逻辑擦除块分别对应的两个NAND FLASH的物理擦除块的块序列号；S3如果在使用过程中产生坏块，标记两片FLASH中的坏块，当两片FLASH均出现坏块，且坏块在表a和表b中非一一对应，则对应表a中的FLASH的坏块由对应表b中的FLASH坏块的表a中的好块去重新对应，根据逻辑擦除块的块序列号，更新表a或表b中对应的有效标志为无效，将表p中对应的坏块替换。