晶圆的切割方法

基本信息

申请号 CN201811372068.7 申请日 -
公开(公告)号 CN109559983B 公开(公告)日 2021-09-03
申请公布号 CN109559983B 申请公布日 2021-09-03
分类号 H01L21/268(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 沈珏玮;李荣;罗伟民 申请(专利权)人 宏茂微电子(上海)有限公司
代理机构 上海市嘉华律师事务所 代理人 黄琮;傅云
地址 201700上海市青浦区工业园区崧泽大道9688号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶圆的切割方法,包括以下步骤,提供晶圆,在晶圆的正面上贴附研磨胶膜层,对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨,在研磨后的晶圆的背面上贴附胶膜层,并通过胶膜层将研磨后的晶圆固定于晶圆架上,去除晶圆正面上的研磨胶膜层,利用激光沿多条纵向预切痕和多条横向预切痕向晶圆背面进行第一切割,利用切割刀具沿各多条纵向第一切割道和多条横向第一切割道的深度方向对晶圆继续切割,且纵向第一切割道的宽度大于纵向第二切割道的宽度,横向第一切割道的宽度大于横向第二切割道的宽度。本发明公开的一种晶圆的切割方法,用于超薄晶圆的切割工艺中,不仅提供了一种超薄晶圆的切割工艺,并且提高了晶圆的切割的良率。