芯片上片方法
基本信息
| 申请号 | CN202110225370.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035720A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035720A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L21/50;H01L21/683 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵滋人;钱杰;李荣 | 申请（专利权）人 | 宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海得民颂知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈开山 |
| 地址 | 201799 上海市青浦区工业园区崧泽大道9688号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种芯片上片方法。本发明的芯片上片方法，包括以下步骤：S100、对晶圆进行切割得到多个芯片，S200、在得到的多个芯片的金属层面粘贴保护膜，S300、撕除多个芯片的硅片层面的胶膜；S400、抓取移动机构抓取芯片的硅片层面，并使芯片从保护膜上分离，S500、抓取移动机构抓取与保护膜分离的芯片的金属层面，S600、使芯片的硅片层面贴附到基板上，完成芯片上片。本发明的芯片上片方法，抓取机构抓取芯片的硅片层面，使芯片与保护膜分离，此时邻边芯片的硅片层面朝上，邻边芯片的弯曲强度增大，使得邻边芯片不易破裂，提高了芯片良率。 |
