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晶圆切割工艺

基本信息

申请号 CN201811340329.7 申请日 -
公开（公告）号 CN109545678B 公开（公告）日 2021-04-02
申请公布号 CN109545678B 申请公布日 2021-04-02
分类号 B23K26/38(2014.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 沈珏玮;李荣 申请（专利权）人 宏茂微电子（上海）有限公司
代理机构 上海市嘉华律师事务所 代理人 黄琮;傅云
地址 201700上海市青浦区工业园区崧泽大道9688号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶圆切割工艺，包括以下步骤：提供晶圆，晶圆的正面刻有纵向割道和横向割道，在晶圆的正面贴附研磨胶膜，对晶圆的背面进行研磨，使晶圆减薄至预设厚度，在已减薄后的晶圆的背面贴附背面胶膜，将晶圆通过背面胶膜贴设至晶圆架上，晶圆架用于限制晶圆的移动，去除晶圆架上的晶圆的研磨胶膜，在已去除研磨胶膜的晶圆的正面进行激光灼刻，以在晶圆的正面形成多个参考凹槽，多个参考凹槽围绕形成多边形区域，根据纵向割道和横向割道对晶圆进行切割，根据多边形区域摘取芯片。本发明公开的晶圆切割工艺可准确的标记出正面参考点的位置，提高晶圆的切割准确度，避免不合格芯片产品掺杂到合格产品中。