一种新型双ITO导电层的高光效芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911224941.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112909140A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112909140A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L33/14;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张振;王聪;刘佳擎 | 申请（专利权）人 | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 223800 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了LED芯片技术领域的一种新型双ITO导电层的高光效芯片，包括LED外延片、ITO导电层、CBL层和金属电极层，LED外延片包括N‑GaN层和位于N‑GaN层上方的P‑GaN层，ITO导电层位于P‑GaN层上方，CBL层被ITO导电层包覆，使电流通过CBL层下方ITO导电层导入因CBL层绝缘无法扩展的区域，这样电流既能够在CBL层的作用下达到分散均匀和提亮效果，也能够充分利用CBL层下的可发光面积，增加LED芯片的发光面积利用率，该双ITO导电层的高光效芯片的制作工艺简单，可解决现有工艺缺点，提升LED芯片亮度和光效。 |
